基本信息
姓名：陈王华
性别：男
职称：教授
电子邮箱：[email protected]
研究方向：硅纳米线和薄膜的制备及其电子器件研究
个人简介
教育背景：
学士 2002.09 – 2006.06 中国 宁波大学 物理
硕士 2006.10 – 2008.06 法国 鲁昂大学 材料物理
博士 2008.10 – 2011.12 法国 鲁昂大学 材料科学
工作经历：职务 时间 国家 单位
博士后 2012.01 – 2012.12 法国 鲁昂材料物理研究所
博士后 2013.01 – 2018.09 法国 巴黎综合理工学院
教授 2018.10 – 至今 中国 宁波大学
目前从事的主要研究工作：陈王华博士在电化学生物传感器、化学气相沉积系统中半导体纳米线的制备机理和生长控制、以及半导体外延和高性能晶硅太阳能电池做出了一系列原创性研究。承担浙江省“领雁”研发攻关计划、浙江省自然科学基金以及宁波市自然科学基金等多个项目。其中以第一或通讯作者在 Nature Communications、Applied Surface Science、Applied Physics Letters等国际一流学术期刊上发表学术论文40 余篇，参加国际会议 20 余次。学术专著（章节）1 本。文章引用次数1000余次。获得国际发明专利授权3项以及国内发明专利4项。和国内外院校以及研究院建立了良好的合作关系，包括法国巴黎综合理工学院、法国鲁昂大学、美国芝加哥大学、欧洲微电子中心（IMEC）和南京大学等等。
指导多名硕士研究生，其中2名硕士研究生已经考入南京大学攻读博士学位
代表性学术论文
题目：Incorporation and redistribution of impurities into silicon nanowires during metal-particle-assisted growth
发表刊物名称：Nature Communications
发表时间：2014-06
题目：Protection of Si Nanowires against Aβ Toxicity by the Inhibition of Aβ Aggregation
发表刊物名称：Molecules
发表时间：2024-04
题目：Self-formation of SiGe oxide, Ge, and void multilayers via thermal oxidation of hydrogenated epitaxial SiGe films
发表刊物名称：Vacuum
发表时间：2023-08
题目：Investigation of Sn-containing precursors for in-plane GeSn nanowire growth
发表刊物名称：Journal of Alloys and Compounds
发表时间：2022-04
题目：Impact of PECVD-prepared interfacial Si and SiGe layers on epitaxial Si films grown by PECVD (200 °C) and APCVD (1130 °C)
发表刊物名称：Applied Surface Science
发表时间：2021-04
承担与完成的主要科研项目
项目名称：高锡组分锗锡纳米线的制备及其生长动力学研究
项目来源：浙江省自然科学基金探索项目
项目起止时间：2024-01 至 2026-12
项目名称：制备用于硅基光电子器件的锗锡纳米线及其钝化研究
项目来源：宁波市自然科学基金一般项目
项目起止时间：2021-08 至 2024-8
授权发明专利
专利名称：一种纳米晶氧化硅薄膜及其制备的类光刻胶氧化硅材料
专利号：ZL201910977268.3
专利名称：一种外延层转移方法
专利号：CN201910975301.9
专利名称：一种制备锗纳米线的方法
专利号：CN201911313015.2
专利名称：一种金纳米线的制备方法
专利号：ZL201910969442.X