报告题目：硅基光电子材料与器件
报告人：中央名族大学教授，李传波
报告时间：2020年10月29日，下午13:00
报告地点：龙赛理科楼北楼116
报告摘要：
随着Si集成电路的集成度越来越高，信息传输的速度越来越快，传统的电互连已显现出其技术的局限性，无法满足高带宽、低功耗的需求。而光互连具有高速度、高带宽、低功耗等特点，因此，人们迫切地希望可以在短距离上实现光互连，甚至是芯片之间和芯片内部的Si基光互连。目前硅基无源光器件已经有比较好的进展，但在硅基光电探测及发光器件方面，性能还有待于提高，特别是高效的Si基光源成为Si基光互连中最具挑战的目标。因其直接带隙特性，锗锡成为一种重要的硅基半导体材料。引入少量锡组分（3%），锗锡即可使锗锡材料在整个光通信波段实现非常高的光响应，这些特点使其成为近年来的研究热点。不过，锡材料在锗材料内的固溶度非常低，容易分凝，而且，锗锡材料与硅衬底的晶格差异很大，高质量锗锡材料生长非常困难。多年来，利用分子束外延技术或高真空化学气相沉积技术，在非平衡状态及低温缓冲层方法，实现了硅基锗锡材料的生长，位错密度仍然较高，制备的器件暗电流大，光电特性不够理想。本报告从硅基锗锡材料生长着手，讲述本团队近几年在半导体光电材料与器件方面的工作。
报告人简介：
李传波，博士，中央民族大学教授，博导。曾在中科院半导体所工作6年，在帝国理工、东京工业大学等海外科研机构工作7年，围绕半导体光子材料与器件、能源光子学等方向开展研究，发表论文110余篇，发明专利7项，合作撰写中、英文专著6部；近5年主持国家自然科学基金、北京市科委重点项目、JG基金、中日合作项目等11项纵向科研项目及1项横向科研项目。目前担任Journal of Semiconductors副主编、《中央民族大学学报》（自然科学版）副主编、《中国光学》青年编委，曾担任第13届、第14届IEEE四族光子学国际会议委员（IEEE GFP2016、IEEE GFP2017）、ECS PRiME 2020 (G03) 、ECS AiMES 2018 (G03)国际会议委员，中国科学院青联委员等。